Weakly Trapped, Charged, and Free Excitons in Single-Layer MoS2 in the Presence of Defects, Strain, and Charged Impurities

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Revista:
ACS Nano

ISSN: 1936-086X 1936-0851

Año de publicación: 2017

Volumen: 11

Número: 11

Páginas: 11206-11216

Tipo: Artículo

DOI: 10.1021/ACSNANO.7B05520 GOOGLE SCHOLAR