Aportación al estudio de estructuras pseudomorficas y metamórficas de Ingaas

Abstract

En este trabajo se estudia el crecimiento (por epitaxia de haces moleculares), el estado de deformacion y los efectos de los campos piezoelectricos en estructuras de ingaas. En las orientaciones (001) y (111) b. Las principales conclusiones se resumen en tres: 1) la utilizacion de sustratos (001) y (111) b (desorientado 1 grado hacia (001) permite la obtencion de estructuras de ingaas optimas e identicas cuando son epitaxiadas simultaneamente a 0.4 nm/h, 500 grados centigrados y v/iii 3. 2) los espesores minimos multiplicacion de dislocaciones determinan la relajacion y dependen fuertemente de la orientacion siendo unas 3 veces mayores en la orientacion (111) que en la (001). 3) se demuestra en heterostructuras (111) b dos ventajas adicionales respecto de la orientacion (001): mayor espesor critico y posibilidad de controlar la envolvente de potencial en la region activa.