Influence of the AlN interlayer thickness on the photovoltaic properties of in-rich AlInN on Si heterojunctions deposited by RF sputtering

  1. Valdueza-Felip, S.
  2. Núñez-Cascajero, A.
  3. Blasco, R.
  4. Montero, D.
  5. Grenet, L.
  6. De La Mata, M.
  7. Fernández, S.
  8. Rodríguez-De Marcos, L.
  9. Molina, S.I.
  10. Olea, J.
  11. Naranjo, F.B.
Revista:
AIP Advances

ISSN: 2158-3226

Any de publicació: 2018

Volum: 8

Número: 11

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.5041924 GOOGLE SCHOLAR lock_openAccés obert editor

Objectius de Desenvolupament Sostenible

Font de les dades: Scopus