Mechanism of the band gap opening across the order-disorder transition of Si(111)(4×1)-In

  1. González, C.
  2. Guo, J.
  3. Ortega, J.
  4. Flores, F.
  5. Weitering, H.H.
Zeitschrift:
Physical Review Letters

ISSN: 0031-9007 1079-7114

Datum der Publikation: 2009

Ausgabe: 102

Nummer: 11

Art: Artikel

DOI: 10.1103/PHYSREVLETT.102.115501 GOOGLE SCHOLAR