Metallization and Schottky-barrier formation for Se-passivated GaAs(1 0 0) interfaces

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Revista:
Applied Surface Science

ISSN: 0169-4332

Año de publicación: 2002

Volumen: 190

Número: 1-4

Páginas: 475-479

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1016/S0169-4332(01)00921-7 GOOGLE SCHOLAR
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