Estructura electrónica y crecimiento de siluros de hierro

Resumen

ESTE TRABAJO DE TESIS PRESENTA UN ESTUDIO DEL CRECIMIENTO Y LA ESTRUCTURA ELECTRONICA DE COMPUESTOS SILICIO-HIERRO (SILUROS DE HIERRO). ESTOS MATERIALES TIENEN INTERES TANTO DESDE EL PUNTO DE VISTA TECNOLOGICO COMO DESDE EL DE LA FISICA DEL ESTADO SOLIDO. EL TRABAJO PRESENTADO HA PERMITIDO LA CARACTERIZACION E IDENTIFICACION MEDIANTE ARUPS DE LAS FASES METAESTABLES CRECIDAS SOBRE SI(111), FASES QUE DEPENDIENDO DE LAS TEMPERATURAS EMPLEADAS EN SU FORMACION PRESENTAN UNA TERMINACION SUPERFICIAL Y ESTRUCTURA ELECTRONICA DIFERENTE CORRESPONDIENDO NO OBTANTE TODAS ELLAS A LA FASE FESI (CSCL). SE MUESTRA COMO EL COMPUESTO FESI (CSCL) APARECE TAMBIEN SOBRE LA SUPERFICIE DE UN MONOCRISTAL FE3SI (100) COMO CONSECUENCIA DE UN PROCESO DE AUTOSEGREGACION Y DE LA ESTABILIZACION APITAXIAL SOBRE LA SUPERFICIE DEL CRISTAL ESTABILIZADA TERMICAMENTE. TAMBIEN SE MUESTRA QUE EXISTEN SERIAS LIMITACIONES PARA EL CRECIMIENTO DEL COMPUESTO SEMICONDUCTOR BETA- FESI2 EN FORMA MONICRISTALINA SOBRE SUSTRATOS DE SI. EN PARTICULAR EN EL CASO DE LA SUPERFICIE SI(100) SE PRODUCE LA FORMACION INICIAL DE UN COMPUESTO METAESTABLE FESI(CSCL) SEGUIDO DE UNA REGION EN LA QUE SE APARECE UN PROCESO DE DEWETTING QUE IMPIDE LA FORMACION DE ESTE COMPUESTO EN UN CIERTO RANGO DE RECUBRIMIENTOS PARA POSTERIORMENTE APARECER EN FORMA POLICRISTALINA. POR OTRA PARTE SE HA PROCEDIDO AL ESTUDIO DE LA ESTRUCTURA ELECTRONICA DEL COMPUESTO E-FESI CRECIDO SOBRE SI(111) QUE PRESENTA UNA ESTRUCTURA .ESTE COMPUESTO ES EXTREMADAMENTE INTERESANTE PUES PRESENTA UN COMPORTAMIENTO MAGNETICO INESPERADO Y PODRIA SER EL PRIMER EJEMPLO DE UN MATERIAL EN EL QUE LOS ELECTRONES D SERIAN RESPONSABLES DE UN EFECTO DE ALTA CORRELACION. NUESTROS DATOS MUESTRAN LA PRESENCIA DE UN PICO MUY ESTRECHO LOCALIZADO AL NIVEL DE FERMI LO QUE APOYA LA POSIBLE PRESENCIA DE UN EFECTO DE ALTA CORRELACION TIPICO DE LOS "MATERIALES KONDO". SE HA MEDIDO TAMBIEN LA ESTRUCTURA DE BANDAS DE ESTE COMPUESTO ENCONT