Etapas iniciales de la formación de heterouniones Si/GaAs(100) crecimiento y oxidación
- Palomares Simón, Francisco Javier
- F. Soria Director/a
Universidad de defensa: Universidad Autónoma de Madrid
Año de defensa: 1993
- Juan Manuel Rojo Alaminos Presidente
- Enrique García Michel Secretario/a
- José Luis Sacedón Adelantado Vocal
- Arturo M. Baró Vocal
- José María Sanz Vocal
Tipo: Tesis
Resumen
EL PROPOSITO DEL PRESENTE TRABAJO HA SIDO EL ESTUDIO DE LAS ETAPAS INICIALES DE LA FORMACION DE HETEROUNIONES SI/GAAS(100), SU CRECIMIENTO Y OXIDACION MEDIANTE LA APLICACION CONJUNTA DE VARIAS TECNICAS DE FISICA DE SUPERFICIES COMO SON LA ESPECTROSCOPIA DE ELECTRONES AUGER (AES), LA DIFRACCION DE ELECTRONES DE BAJA ENERGIA (LEED) Y LA ESPECTROSCOPIA DE FOTOEMISION UTILIZANDO RADIACION SINCROTRON (PES). PARA ELLO PRIMERAMENTE HA TENIDO LUGAR LA CARACTERIZACION DE LAS SUPERFICIES DE GAAS (100) QUE SIRVEN DE SUBSTRATO EN EXPERIMENTOS ADICIONALES, PARA A CONTINUACION ANALIZAR LAS PRIMERAS ETAPAS DE CRECIMIENTO Y LA CONSIGUIENTE FORMACION DE LA INTERCARA SI/GAAS (100) A DIFERENTES TEMPERATURAS, REQUISITOS IMPRESCINDIBLES PARA POSTERIORMENTE PODER ABORDAR EL COMPORTAMIENTO DE AMBOS SISTEMAS TRAS LOS PROCESOS DE OXIDACION ACTIVADOS POR BOMBARDEO ELECTRONICO A QUE SON SOMETIDOS.