Etapas iniciales de la formación de heterouniones Si/GaAs(100) crecimiento y oxidación

  1. Palomares Simón, Francisco Javier
Dirigida por:
  1. F. Soria Director/a

Universidad de defensa: Universidad Autónoma de Madrid

Año de defensa: 1993

Tribunal:
  1. Juan Manuel Rojo Alaminos Presidente
  2. Enrique García Michel Secretario/a
  3. José Luis Sacedón Adelantado Vocal
  4. Arturo M. Baró Vocal
  5. José María Sanz Vocal

Tipo: Tesis

Teseo: 45206 DIALNET

Resumen

EL PROPOSITO DEL PRESENTE TRABAJO HA SIDO EL ESTUDIO DE LAS ETAPAS INICIALES DE LA FORMACION DE HETEROUNIONES SI/GAAS(100), SU CRECIMIENTO Y OXIDACION MEDIANTE LA APLICACION CONJUNTA DE VARIAS TECNICAS DE FISICA DE SUPERFICIES COMO SON LA ESPECTROSCOPIA DE ELECTRONES AUGER (AES), LA DIFRACCION DE ELECTRONES DE BAJA ENERGIA (LEED) Y LA ESPECTROSCOPIA DE FOTOEMISION UTILIZANDO RADIACION SINCROTRON (PES). PARA ELLO PRIMERAMENTE HA TENIDO LUGAR LA CARACTERIZACION DE LAS SUPERFICIES DE GAAS (100) QUE SIRVEN DE SUBSTRATO EN EXPERIMENTOS ADICIONALES, PARA A CONTINUACION ANALIZAR LAS PRIMERAS ETAPAS DE CRECIMIENTO Y LA CONSIGUIENTE FORMACION DE LA INTERCARA SI/GAAS (100) A DIFERENTES TEMPERATURAS, REQUISITOS IMPRESCINDIBLES PARA POSTERIORMENTE PODER ABORDAR EL COMPORTAMIENTO DE AMBOS SISTEMAS TRAS LOS PROCESOS DE OXIDACION ACTIVADOS POR BOMBARDEO ELECTRONICO A QUE SON SOMETIDOS.