Caracterizacion electrica de estructuras mis de nitruro de silicio crecido por ecr-cvd

Resumen

A lo largo de este trabajo se ha llevado a cabo la caracterización eléctrica de estructuras Metal-Aislante-Semiconductor en las cuales el denominador común ha sido el aislante utilizado: nitruro de silicio depositado mediante el método ECR-CVD. De este modo se han caracterizado dos tipos de muestras unas con sustrato de silico y otras con sustrato de fosfuro de indio. Las tecnicas de caracterizacion utilizadas han sido las más estandar para la caracterización de estructuras MIS: tecnicas basadas en medidas capacidad-tesion y la tecnica DLTS. Por otro lado, se ha llevado a cabo el desarrollo de una nueva técnica de caracterización eléctrica de defectos en la interfase aislante-semiconductor basada en la medida de transitorios de conductancia. Los resultados obtenidos mediante esta nueva tecnica de caracterizacion electrica son perfectamente comparables a los obtenidos mediante tecnicas de caracterizacion más establecidas como es la tecnica DLTS. Esta nueva tecnica de caracterización se basa en la observación de un transitorio en la medida de la conductancia presentada por la muestra cuando está es sometida a un determinado pulso de tensión. Dichos transitorios aparecen a temperatura ambiente variando la frecuencia y a frecuencia constante variando la temperatura de medida. Se observa en dichos transitorios, que su forma puede ser creciente o decreciente en función de la frecuencia o temperatura de medida. La explicación cualitativa de este fenómeno experimental se basa en la utilización del modelo DIGS de defectos en la interfase aislante-semiconductor mediante el cual se llega a que, en determinadas estructuras, los defectos no están localizados en el plano de la unión sino que se encuentran distribuidos espacialmente en el interior del material semiconductor. Tras realizar la formulación matematica que se ajusta al modelo se obtiene la distribucion de la densidad de estados superficiales, tanto en energia como en pos