Analisis y diseño de dispositivos semiconductores de potencia en sic
- PELAZ MONTES M. LOURDES
- Luis A. Bailón Vega Directeur/trice
Université de défendre: Universidad de Valladolid
Année de défendre: 1995
- Juan Barbolla Sánchez President
- Daniel Pardo Collantes Secrétaire
- Germán González Díaz Rapporteur
- Juan Enrique Carceller Beltrán Rapporteur
- José Millán Gómez Rapporteur
Type: Thèses
Résumé
El carburo de silicio posee propiedades (ancho gap, elevado campo de ruptura y conductividad termica alta) que permiten presentarlo como un material adecuado para dispositivos de potencia. Mediante el programa de simulacion de dispositivos medici adaptado para el sic se han simulado algunos dispositivos de este material. Se ha incluido el efecto poole-frenkel para justificar las caracteristicas de los diodos p-n de 6h-sic. Tambien hemos establecido el limite de las corrientes de generacion-recombinacion cuando los tiempos de recombinacion tienden a cero y hemos atribuido el caracter anomalo de los diodos p-n de 3c-sic a la elevada densidad de defectos de este politipo. Asimismo consideramos responsables del comportamiento anomalo de los mosfets de sic a la elevada densidad de estados en la interfase oxido/sic. Hemos puesto de manifiesto que los diodos p-n de sic se muestran convenientes como diodos rapidos para el control de altas corrientes y tensiones. Los transistores vdmos tambien son ventajosos frente a los de si para tensiones elevadas: menor resistencia de conduccion, espaciado optimo entre los pozos-p mas pequeño y aparicion del regimen de cuasi-saturacion para corrientes extremadamente elevadas.