Estudio por microscopía de efecto túnel y microscopía electrónica de estructuras submicrométricas

Zusammenfassung

El trabajo de esta tesis se centra en el desarrollo de un microscopio de efecto tunel, stm (scanning tunneling microscope), combinado con un electronico comercial, sem (scanning electron microscope), y las distintas aplicaciones de este sistema. Las caracteristicas mas destacables del stm diseñado, ademas de su resolucion (0.1 a en la direccion vertical y 0.01 na en corriente), son su reducido tamaño y la posibilidad de elegir la zona de estudio utilizando un posicionamiento inercial. Por sus dimensiones, es posible insertar y extraer el stm a traves de la camara de transferencia del sem, disminuyendo asi el ritmo de contaminacion de la muestra y mejorando el vacio final alcanzado. El estudio de una misma zona utilizando ambas tecnicas (stm y sem) permite la correlacion de datos. La aplicacion mas apropiada ha sido la del estudio de los procesos asociados al calentamiento por efecto joule de pequeñas muestras (1umx1umx4um): Difusion, recristalizacion, electromigracion y facetado, y su importancia relativa al variar la temperatura y la densidad de corriente. Tambien se ha demostrado la capacidad del stm para provocar cambios a nivel atomico sobre wse2. Las modificaciones obtenidas han sido de dos tipos: Localizadas y extensas. Las estructuras extensas pueden explicarse por interacciones entre punta y muestra. Sin embargo, los datos espectroscopicos revelan que su comportamiento coincide con el de defectos situados en capas enterradas.