Propiedades semiconductoras en monocristales de al2o3/mg y mgo/li

  1. TARDIO LOPEZ MIGUEL M
Zuzendaria:
  1. Rafael Ramírez Jiménez Zuzendaria
  2. Roberto González Amado Zuzendaria

Defentsa unibertsitatea: Universidad Carlos III de Madrid

Fecha de defensa: 2002(e)ko azaroa-(a)k 18

Epaimahaia:
  1. Ramiro Pareja Pareja Presidentea
  2. Javier Sanz Feito Idazkaria
  3. Carlos Zaldo Luezas Kidea
  4. Francisco Sánchez Quesada Kidea
  5. Rafael Vila Vázquez Kidea

Mota: Tesia

Teseo: 99145 DIALNET

Laburpena

Se estudia como la presencia de centros de hueco atrapado Mg y Li, afectan a las propiedades de transporte electrónico de los cristales de a-Al23/Mg y MgO/li, respectivamente. Estos defectos se crean por oxidación a elevadas temperaturas y su concentración se estima con la técnica de absorcion optica. las medidas de conductividad eléctrica para cristales con diferentes concentraciones de defectos se realizan combinando técnicas de dc y ac. En ambos tipos de cristales la interfase metal-aislante se caracteriza por una barrera de potencial con una caracteristica electrica bloqueante para los portadores mayoritarios(huecos), lo que viene corroborado por la electroluminiscencia observada en dicha interfase.Un estudio de la conductividad eléctricaen muestras de MgO implantadas con iones Li+ revela un valor de 14 ordenes de magnitud superior al de la smuestras no implantadas. Los defectos intrínsecos creados por la implantación son los principales responsable sdel aumento. Ademas la interfase metal-aislante presenta un comportamiento ohmico. Los resultados de este trabajo confirman la existencia de propiedades semiconductoras entre 250 y 800 K en los cristales de a-Al2O3/Mg y MgO/Li.Esta investigación abre la posibilidad de disponer de materiales cuyas propiedades eléctricas no se degraden a temperaturas apreciablemente mas altas que temperatura ambiente, de modo que puedan ser usados en aplicaciones tales como pozos geotérmicos, turbinas o centrales nucleares sin necesidad de recurrir a sistema sde enfriamiento