Contribución al estudio de defectos en capas epitaxiales de Gan. Aplicaciones a dispositivos optoelectronicos

Resumen

Esta tesis doctoral se ha dedicado al estudio y caracterización de capas epitaxiales de GaN. Este material es un semiconductor de GAP ancho (3,4 eV) que ha despertado un gran interés gracias a sus propiedades que posibilitan su aplicación inmediata a la fabricación de emisores en el azul y UV, detectores de UV y transistores de potencia. Se han estudiado capas crecidas sobre sustratos de zafiro y silicio (111) por dos técnicas diferentes, MBE y MOVPE. Las técnicas empleadas han sido fotoluminiscencia, efecto HALL y fotocapacidad. Mediante ellas se han caracterizado defectos en material no dopado y ha sido posible la determinación de la energía de activación de varios dopantes como el Si (donante), el Mg y el Be (aceptores). Finalmente se ha realizado un estudio de la influencia de estos defectos y dopantes sobre las prestaciones de dos dispositivos, un detector de UV Fotoconductor y un emisor de radiación azul (diodo electroluminiscente).