Estudio numérico y asintótico del efecto Gunn en varias dimensiones descrito por el modelo de Kroener de convección-difusión

Resumen

Se describe el fenómeno físico del efecto Gunn y se introducen los conceptos generales de los fenómenos de transporte de electrones en materiales semiconductores. Se presenta el modelo de Kroemer de convección-difusión que describe el efecto Gunn en varias dimensiones. Se presenta la resolución numérica del efecto Gunn axisimétrico en la geometría de Corbino y se describen los tres regímenes de comportamiento que puede adoptar el dispositivo en función del voltaje aplicado, que es el parámetro de control. Se hace el análisis asintótico del problema del efecto Gunn en muestras suficientemente largas. Se presentan las primeras simulaciones numéricas del Efecto Gunn bidimensional, concretamente en muestras rectangulares con contactos puntuales interiores. Se formula un problema de frontera libre para descubrir la evolución de la vida viajera del efecto Gunn cuando se encuentra lejos de los contactos. Se resuelven los problemas para los casos más simples de las geometrías unidimensionales y axisimétricas y se obtienen unos resultados que coinciden muy bien con las simulaciones clásicas del modelo Kroemer y con los experimentos de Gunn.