Estructura electrónica de materiales artificiales e interfases
- Segovia Cabrero, Pilar
- Enrique García Michel Doktorvater/Doktormutter
Universität der Verteidigung: Universidad Autónoma de Madrid
Fecha de defensa: 05 von März von 1998
- Fernando Flores Sintas Präsident/in
- Marco Antonio Lopez de la Torre Hidalgo Sekretär/in
- José Luis Vicent López Vocal
- María Carmen Asensio Ariño Vocal
- Antonio Hernando Grande Vocal
Art: Dissertation
Zusammenfassung
El estudio de la estructura electrónica de los materiales es crucial para comprender la mayoría de sus propiedades. La técnica que, por excelencia, sirve para este estudio es la Fotoemisión resuelta en ángulo (ARUPS). La combinación de esta técnica con el empleo de la radiación sincrotrón la hace especialmente potente ya que permite la obtención de los diferentes números cuánticos. Las técnicas de Fotoemisión de alta resolución nos han permitido abordar el estudio de tres sistemas diferentes en los que se manifiestan fenómenos de confinamiento cuántico (Cu/Co/Cu(100)), sistemas cuasiunidimensionales (K/Si(100)2x1), sistemas con alta correlación electrónica (CeRh3/W(110) y U/W(110)).