Estructura electronica y enlace en oxidos ternarios de la familia de las delafositas
- BULJAN HERNANDEZ, ANTONIO GUILLERMO
- Pere Alemany Cahner Doktorvater/Doktormutter
Universität der Verteidigung: Universitat de Barcelona
Fecha de defensa: 10 von März von 1998
- Santiago Alvarez Reverte Präsident/in
- Josep Manel Ricart Pla Sekretär/in
- Enric Canadell Casanovas Vocal
- Fernando Mota Valeri Vocal
- José María González Calbet Vocal
Art: Dissertation
Zusammenfassung
En esta tesis se abordó el estudio de la estructura electrónica de los óxidos ternarios ABO2 denominados delafositas. Para lograr este objetivo se utilizaron cálculos de bandas de tipo extended Huckel. Para las delafositas semiconductoras se estudió el enlace, la estructura de bandas y la variación del gap en función de algunos parámetros estructurales. También se estudió la transparencia óptica del CuA102. Para las delafositas conductoras (PtCoO2 y PdCoO2) se estudió su superficie de Fermi y la posibilidad de inestabilidades estructurales en la subred de Pt. También se estudió la estructura electrónica y el enlace de las delafositas CuYO2 dopadas con oxígeno. Por último, se realizó un estudio ab-initio de la estructura de bandas de las delafositas CuBO2 (B=Al, Ga, Y) con el objetivo de analizar la calidad de la aproximación DFT a posteriori, las propiedades elásticas, mapas de densidad electrónica y energías de cohesión de estos óxidos.