Electrical transport properties in Ge hyperdoped with Te

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Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 1361-6641 0268-1242

Año de publicación: 2022

Volumen: 37

Número: 12

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/1361-6641/AC9A67 GOOGLE SCHOLAR lock_openDocta Complutense editor