Magnetorresistencia balística la base de los futuros dispositivos magnetorresistivos

Resumen

La electrónica de espín, es un campo de investigación que en los últimos años ha despertado un gran interés y expectación debido a sus múltiples posibles aplicaciones tecnológicas. Especialmente los dispositivos magnetorresistivos, sistemas que presentan un cambio de su resistencia eléctrica cuando se aplican campos magnéticos externos, se vienen empleando en distaos dispositivos como sensores de campo magnético y cabezas de lectura y escritura en sistemas de almacenamiento magnético. La investigación en este tipo de sistemas se centra en la búsqueda de nuevos materiales y sistemas que presenten un mayor cambio de sus resistencia ante menores intensidades de campo magnético aplicados. En esta tesis se presentan investigaciones realizaadas sobre las propiedades magnetorresistivas de contactos metálicos de tamaño nanométrico, lo que se conoce como nanocontactos. Se ha demostrado como es posible medir cambios de hasta el 700% en la resistencia de un contacto de unos pocos nanometros de diámetro. Este efecto se demuestra que es debido a la dispersión que sufren los electrones de espín polarizado que atraviesan una pared de dominio confinada en el contacto. Así mismo se ha demostrado que el proceso de fabricación de estos contactos (electroquímico) proporciona a éstos la estabilidad y rigidez necesaria. También se han estudiado sistemas de multicapas metal/aislante. Se ha investigado un método mediante el cual es posilbe investigar los defectos de estas capas, defectos cuyo tamaño es en ocasiones menor que un nanómetro. Se ha demostrado que estos defectos son intrínsecos a las capas y no generados por el proceso de identificación. La existencia y la posibilidad de identificar estos defectos hace posible el formar nanocontactos entre las capas metálicas que se encuentran bajo estos defectos y clusters crecidos sobre estas multicapas. Por útlimo se han investigado métodos de formación de nanocontact