CATHODOLUMINESCENCE AND POSITRON-ANNIHILATION STUDY OF DEFECT DISTRIBUTION IN III-V WAFERS

  1. DOMINGUEZADAME, F
  2. MENDEZ, B
  3. PIQUERAS, J
  4. DEDIEGO, N
  5. LLOPIS, J
  6. MOSER, P
Revista:
REVUE DE PHYSIQUE APPLIQUEE

ISSN: 0035-1687

Año de publicación: 1989

Volumen: 24

Número: 6

Páginas: 179-179

Tipo: Nota