Electrolyte Gated Synaptic Transistor based on an Ultra-Thin Film of La0.7Sr0.3MnO3

  1. López, A.
  2. Tornos, J.
  3. Peralta, A.
  4. Barbero, I.
  5. Fernandez-Canizares, F.
  6. Sanchez-Santolino, G.
  7. Varela, M.
  8. Rivera, A.
  9. Camarero, J.
  10. León, C.
  11. Santamaría, J.
  12. Romera, M.
Revista:
Advanced Electronic Materials

ISSN: 2199-160X

Año de publicación: 2023

Volumen: 9

Número: 7

Tipo: Artículo

DOI: 10.1002/AELM.202300007 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor

Objetivos de desarrollo sostenible

Fuente de los datos: Scopus