Electrolyte Gated Synaptic Transistor based on an Ultra-Thin Film of La0.7Sr0.3MnO3

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Revista:
Advanced Electronic Materials

ISSN: 2199-160X

Año de publicación: 2023

Volumen: 9

Número: 7

Tipo: Artículo

DOI: 10.1002/AELM.202300007 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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