METODO PARA LA FABRICACION DE UNA CELULA SOLAR DE SILICIO DE BANDA INTERMEDIA
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Inventors:
- MARTI VEGA,ANTONIO
- LUQUE LOPEZ, ANTONIO
- ANTOLIN FERNANDEZ, ELISA
- JAVIER OLEA ARIZA
- DAVID PASTOR PASTOR
- IGNACIO MARTIL DE LA PLAZA
- GERMÁN GONZÁLEZ DÍAZ
- PUIGDOLLERS GONZALEZ,JOAQUIN
- SILVESTRE BERGES,SANTIAGO
- CASTAER MUOZ,LUIS
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Universidad Politécnica de Madrid
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Universidad Politécnica de Madrid
Madrid, España
- UNIVERSIDAD POLITECNICA DE CATALUNYA
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Universidad Complutense de Madrid
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Universidad Complutense de Madrid
Madrid, España
ES2324013A1 (28-07-2009)
P200900461 (19-02-2009)
![Imagen de la patente](https://consultas2.oepm.es/imas//Resumen/000/00P/200/900/P200900461.jpg)
Abstract
Método para la fabricación de una célula solar de silicio de banda intermedia.
Es posible crear materiales de banda intermedia en silicio mediante la implantación iónica en dosis elevadas de elementos que produzcan centros profundos en el silicio. Sin embargo, el material de banda intermedia (4) se crea en la superficie de la oblea implantada (7) planteándose una dificultad técnica ya que, para fabricar una célula solar completa, resulta necesario envolver este material de banda intermedia entre un semiconductor de tipo p (5) y otro de tipo n (6) utilizando un proceso de baja temperatura que evite la segregación y formación de clústeres del elemento implantado. En esta patente, esta dificultad se resuelve creando la estructura p n mediante la deposición de capas de silicio amorfo hidrogenado de calidad a baja temperatura.