Material híbrido orgánico-inorgánico y método para pasivación de superficie de silicio

  1. Inventors:
  2. GARCÍA TECEDOR, Miguel
  3. VÁSQUEZ VILLANUEVA, Geraldo Cristian
  4. MARÍA TAEÑO GONZÁLEZ
  5. DAVID MAESTRE VAREA
  6. ANA ISABEL CREMADES RODRÍGUEZ
  7. JULIO RAMÍREZ CASTELLANOS
  8. FRANCISCO JAVIER PIQUERAS DE NORIEGA
  9. JOSE MARIA GONZÁLEZ CALBET
  10. KARAZHANOV, Smagul
  11. HAUG, Halvard
  12. CHUAN YOU, Chang
  13. S. MARSTEIN, Erik
  1. Universidad Complutense de Madrid
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    Universidad Complutense de Madrid

    Madrid, España

    Geographic location of the organization Universidad Complutense de Madrid
  2. Institute for Energy Technology
    info
    Institute for Energy Technology

    Lillestrøm, Noruega

    Geographic location of the organization Institute for Energy Technology
ES
Publicación principal:

ES2650213A1 (17-01-2018)

Otras Publicaciones:

ES2650213B2 (17-12-2018)

Solicitudes:

P201600562 (11-07-2016)

Abstract

Material híbrido orgánico-inorgánico y método para pasivación de superficie de silicio.

Un importante reto tecnológico es la pasivación de la superficie del silicio en dispositivos optoelectrónicos, como las células solares, sin añadir costes adicionales y empleando materiales abundantes. En la presente invención, se propone un método para fabricar un material híbrido compuesto con PEDOT:PSS y nanoestructuras de óxidos transparentes conductores, obteniendo la pasivación de la superficie de silicio mediante la utilización de una película compuesta delgada con un espesor menor de 200 nm.

INVENES: P201600562
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