Material híbrido orgánico-inorgánico y método para pasivación de superficie de silicio

    Inventores/as:
  1. GARCÍA TECEDOR, Miguel
  2. VÁSQUEZ VILLANUEVA, Geraldo Cristian
  3. MARÍA TAEÑO GONZÁLEZ
  4. DAVID MAESTRE VAREA
  5. ANA ISABEL CREMADES RODRÍGUEZ
  6. JULIO RAMÍREZ CASTELLANOS
  7. FRANCISCO JAVIER PIQUERAS DE NORIEGA
  8. JOSÉ MARÍA GONZÁLEZ CALBET
  9. KARAZHANOV, Smagul
  10. HAUG, Halvard
  11. CHUAN YOU, Chang
  12. S. MARSTEIN, Erik
  1. Universidad Complutense de Madrid
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    Universidad Complutense de Madrid

    Madrid, España

  2. Institute for Energy Technology
    info

    Institute for Energy Technology

    Lillestrøm, Noruega

ES
Publicación principal:

ES2650213A1 (17-01-2018)

Otras Publicaciones:

ES2650213B2 (17-12-2018)

Solicitudes:

P201600562 (11-07-2016)

Resumen

Material híbrido orgánico-inorgánico y método para pasivación de superficie de silicio.

Un importante reto tecnológico es la pasivación de la superficie del silicio en dispositivos optoelectrónicos, como las células solares, sin añadir costes adicionales y empleando materiales abundantes. En la presente invención, se propone un método para fabricar un material híbrido compuesto con PEDOT:PSS y nanoestructuras de óxidos transparentes conductores, obteniendo la pasivación de la superficie de silicio mediante la utilización de una película compuesta delgada con un espesor menor de 200 nm.

INVENES: P201600562 ESPACENET
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