Projecte d'investigació
TEC2010-18051
FABRICACIÓN DE DISPOSITIVOS DE EFECTO CAMPO CON DIELÉCTRICO DE ALTA PERMITIVIDAD SOBRE SI Y SEMICONDUCTORES III.
date_range
Duració del 01 de de gener de 2011 al 31 de de desembre de 2013
(36 mesos)
Investigadors/es
Dades d'investigació relacionades
- FIGURE Paper figures
- MEDIA MPampillon Thesis chapter 7
- DATASET GdScO electrical results