Projecte d'investigació
TEC2017-84378-R
Fotodetectores para infrarrojo cercano y medio basados en semiconductores hiperdopados compatibles con tecnología CMOS
date_range
Duració del 01 de de gener de 2018 al 31 de de desembre de 2020
(36 mesos)
Va finalitzar
Investigadors/es
Publicacions relacionades amb el projecte (3)
Mostra per tipologia2023
-
High-quality single-crystalline epitaxial regrowth on pulsed laser melting of Ti implanted GaAs
Materials Science in Semiconductor Processing
-
Electronic transport properties of Ti-supersaturated Si processed by rapid thermal annealing or pulsed-laser melting
Semiconductor Science and Technology
2022
-
On the Optoelectronic Mechanisms Ruling Ti-hyperdoped Si Photodiodes
Advanced Electronic Materials