Electronic transport properties of Ti-supersaturated Si processed by rapid thermal annealing or pulsed-laser melting

  1. Olea, J.
  2. González-Díaz, G.
  3. Pastor, D.
  4. García-Hemme, E.
  5. Caudevilla, D.
  6. Algaidy, S.
  7. Pérez-Zenteno, F.
  8. Duarte-Cano, S.
  9. García-Hernansanz, R.
  10. del Prado, A.
  11. San Andrés, E.
  12. Mártil, I.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 1361-6641,  0268-1242

Año de publicación: 2023

Volumen: 38

Número: 2

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/1361-6641/ACA9F0 GOOGLE SCHOLAR lock_openDocta Complutense editor

Proyectos relacionados

Fotodetectores para infrarrojo cercano y medio basados en semiconductores hiperdopados compatibles con tecnología CMOS

25464

Hiperdopado y texturizado de silicio con láseres ultrarrápidos para materiales fotovoltaicos avanzados

26236

Mejora de la respuesta de fotodetectores de IR basados en semiconductores del grupo IV hiperdopados

9197

Fuente de los datos: Scopus