Projet de recherche
TEC2017-84378-R
Fotodetectores para infrarrojo cercano y medio basados en semiconductores hiperdopados compatibles con tecnología CMOS
date_range
Durée de 01 janvier 2018 à 31 décembre 2020
(36 mois)
Fini
Chercheurs
Publications liées au projet
Montrer par typologie2023
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High-quality single-crystalline epitaxial regrowth on pulsed laser melting of Ti implanted GaAs
Materials Science in Semiconductor Processing
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Electronic transport properties of Ti-supersaturated Si processed by rapid thermal annealing or pulsed-laser melting
Semiconductor Science and Technology
2022
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On the Optoelectronic Mechanisms Ruling Ti-hyperdoped Si Photodiodes
Advanced Electronic Materials