Proxecto de investigación
TEC2017-84378-R
Fotodetectores para infrarrojo cercano y medio basados en semiconductores hiperdopados compatibles con tecnología CMOS
date_range
Duración do 01 de xaneiro de 2018 ao 31 de decembro de 2020
(36 meses)
Rematou
Investigadores/as
Publicacións relacionadas co proxecto (3)
Mostrar por anualidadeArtigo
-
High-quality single-crystalline epitaxial regrowth on pulsed laser melting of Ti implanted GaAs
2023
Materials Science in Semiconductor Processing
-
Electronic transport properties of Ti-supersaturated Si processed by rapid thermal annealing or pulsed-laser melting
2023
Semiconductor Science and Technology
-
On the Optoelectronic Mechanisms Ruling Ti-hyperdoped Si Photodiodes
2022
Advanced Electronic Materials