Caracterización por difracción de rayos X de heteroestructuras de semiconductores III-Vaplicación al diseño de superredes tensadas para epitaxias de GaAs-Si

  1. Mazuelas Esteban, Angel
Dirigida por:
  1. Luisa González Sotos Director/a

Universidad de defensa: Universidad Complutense de Madrid

Año de defensa: 1993

Tribunal:
  1. Francisco Javier Piqueras de Noriega Presidente
  2. Jacobo Santamaría Sánchez-Barrriga Secretario
  3. Carmen Ballesteros Pérez Vocal
  4. Rafael García Roja Vocal

Tipo: Tesis

Teseo: 38033 DIALNET lock_openDocta Complutense editor

Resumen

Esta tesis doctoral presenta resultados experimentales de caracterización de heteroestructuras de semiconductores III-v crecidos sobre substratos de gaas por mbe. Se presenta una descripción completa de la difracción de rayos x como herramienta de caracterización de materiales. Se ha aplicado a diversas estructuras tanto sin tensiones como pensionadas. Se han determinado los espesores críticos de diversos semiconductores III-v. Se han estudiado diversos tipos de superredes tensadas. Por ultimo, los estudios anteriores se sintetizan en una propuesta de superred tensada para epitaxias de gaas/si.