Características de diodos trapatt en banda s
- NIETO ESTELLA, MARTA
- José Luis Sebastián Franco Director
Universitat de defensa: Universidad Complutense de Madrid
Any de defensa: 1989
- Maximino Rodríguez Vidal President/a
- Germán González Díaz Secretari
- Vicente Ortega Castro Vocal
- Ernesto Martín Rodríguez Vocal
- José Luis García García Vocal
Tipus: Tesi
Resum
El objetivo fundamental de la tesis es la caracterización (tanto teórica como experimental) de un oscilador trapatt en banda s, proporcionando un mejor conocimiento tanto de la física de operación del modo trapatt como de la interacción dispositivo activo -circuito pasico. Para ello se describen y definen los parámetros básicos de la fenomenología de los procesos de avalancha, así como la teoría analítica del dispositivo trapatt, presentándose un nuevo modelo de dispositivo que permite comprender de forma simple los mecanismos elementales de operación en alta eficiencia. Se presenta la realización práctica de los tipos de circuitos, en línea coaxial y microchip, con un análisis detallado de las formas de onda de voltaje y corriente obtenidas experimentalmente. Por ultimo se analiza la influencia del circuito sobre la operación del dispositivo y la interpretación de curvas de impedancia.