Características de diodos trapatt en banda s

  1. NIETO ESTELLA, MARTA
Dirigée par:
  1. José Luis Sebastián Franco Directeur

Université de défendre: Universidad Complutense de Madrid

Année de défendre: 1989

Jury:
  1. Maximino Rodríguez Vidal President
  2. Germán González Díaz Secrétaire
  3. Vicente Ortega Castro Rapporteur
  4. Ernesto Martín Rodríguez Rapporteur
  5. José Luis García García Rapporteur

Type: Thèses

Teseo: 21656 DIALNET

Résumé

El objetivo fundamental de la tesis es la caracterización (tanto teórica como experimental) de un oscilador trapatt en banda s, proporcionando un mejor conocimiento tanto de la física de operación del modo trapatt como de la interacción dispositivo activo -circuito pasico. Para ello se describen y definen los parámetros básicos de la fenomenología de los procesos de avalancha, así como la teoría analítica del dispositivo trapatt, presentándose un nuevo modelo de dispositivo que permite comprender de forma simple los mecanismos elementales de operación en alta eficiencia. Se presenta la realización práctica de los tipos de circuitos, en línea coaxial y microchip, con un análisis detallado de las formas de onda de voltaje y corriente obtenidas experimentalmente. Por ultimo se analiza la influencia del circuito sobre la operación del dispositivo y la interpretación de curvas de impedancia.