Contribución al estudio de la modelización física y realización de los diodos semiconductores

  1. PASTOR DEGANO, GERARDO
Dirigida por:
  1. Enrique Dominguez Ferrari Director/a

Universidad de defensa: Universidad Complutense de Madrid

Año de defensa: 1982

Tribunal:
  1. Antonio Hernández Cachero Presidente
  2. Antonio Luque López Secretario/a
  3. Pedro Cartujo Estebanez Vocal
  4. Maximino Rodríguez Vidal Vocal
  5. Elías Muñoz Merino Vocal

Tipo: Tesis

Resumen

Se realiza un amplio estudio de los procesos tecnológicos utilizados en la elaboración de dispositivos semiconductores recalcando el proceso de la difusión y a continuación se pasa a la elaboración propia de los diodos semiconductores. Seguidamente se obtienen las características I-V de estos diodos y de una amplia gama de diodos comerciales. Vemos que estas características se explican satisfactoriamente con los modelos actuales cuando se realizan a temperatura ambiente pero no cuando se varia la temperatura. Teniendo en cuenta la posible existencia de electrones calientes debido a los campos internos se realiza una nueva modelización de la corriente de un diodo que explica satisfactoriamente las características I-V tanto a temperatura ambiente como cuando varia la temperatura.