Caracterización de defectos en gap. Problemas de homogeneidad en obleas

  1. DOMÍNGUEZ-ADAME ACOSTA, FRANCISCO
Supervised by:
  1. Francisco Javier Piqueras de Noriega Director

Defence university: Universidad Complutense de Madrid

Year of defence: 1991

Committee:
  1. José Luis Vicent López Chair
  2. Germán González Díaz Secretary
  3. Elías Muñoz Merino Committee member
  4. Diego Otero de Nieves Committee member
  5. José Miguel Ángel García Martínez Committee member

Type: Thesis

Teseo: 29627 DIALNET

Abstract

SE ESTUDIA LA NATURALEZA Y DISTRIBUCION DE DEFECTOS PUNTUALES Y DISLOCACIONES EN CRISTALES SEMICONDUCTORES DE GAP Y DE INP, MEDIANTE VARIAS TECNICAS DE ANALISIS, EN SU MAYORIA BASADAS EN LA MICROSCOPIA ELECTRONICA DE BARRIDO. SE HA ENCONTRADO QUE LA EMISION DE CATODOLUMINISCENCIA (CL) EN OBLEAS DE GAP NO ES OBLEAS DE GAP NO ES HOMOGENEA DEBIDO A LA DISTRIBUCION NO UNIFORME DE DEFECTOS PUNTUALES Y DISLOCACIONES. LAS MEDIDAS CONCUERDAN CON LAS OBTENIDAS MEDIANTE ESPECTROSCOPIA DE ANIQUILACION DE POSITRONES, UTILIZADA TAMBIEN EN ESTE TRABAJO. DESDE EL PUNTO DE VISTA DE LA DISTRIBUCION LOCAL DE DEFECTOS, SE HA COMPROBADO QUE TAMPOCO ES UNIFORME ALREDEDOR DE LAS DISLOCACIONES, EXISTIENDO DIFUSION DE VACANTES Y DE DEFECTOS DE ANTIESTRUCTURA HACIA LAS DISLOCACIONES. LOS RESULTADOS EN GAP Y EN INP POLICRISTALINAS MUESTRAN QUE TAMBIEN EXISTE SEGREGACION DE DEFECTOS PUNTUALES HACIA LAS FRONTERAS DE GRANO. POR OTRAS PARTE, EL CONTRASTE EN LAS IMAGENES DE MICROSCOPIA ELECTROACUSTICA DE BARRIDO EN LOS POLICRISTALES, ES MUY INTENSO EN LAS MACLAS Y NO SIEMPRE ES INTENSO EN LAS FRONTERAS DE GRANO.