Diodos láser de pozo cuántico confinados por superredes. Diseño, fabricación y caracterización

  1. DOTOR CASTILLA M. LUISA
Supervised by:
  1. Dolores Golmayo Director

Defence university: Universidad Complutense de Madrid

Year of defence: 1991

Committee:
  1. Francisco Sánchez Quesada Chair
  2. Maria Eloisa Lopez Perez Secretary
  3. Jose Luis De Miguel Committee member
  4. José Luis Vicent López Committee member
  5. Luisa González Sotos Committee member

Type: Thesis

Teseo: 29630 DIALNET

Abstract

EN LA TESIS SE HA ESTUDIADO LA FISICA DE LOS LASERES DE SEMICONDUCTOR. SE HA ELABORADO UN PROGRAMA PARA EL CALCULO DE LA GANANCIA, EL FACTOR DE CONFINAMIENTO Y CORRIENTE RADIATIVA, QUE PERMITE EL DISEÑO DE ESTRUCTURAS CON LOS PARAMETROS OPTIMIZADOS. SE HAN FABRICADO LAS ESTRUCTURAS DISEÑADAS, POZOS DE GAAS CONFINADOS POR SUPERREDES ALAS/GAAS, MEDIANTE LA TECNICA DE EPITAXIA POR HACES MOLECULARES Y POSTERIORMENTE SE HAN FABRICADO LOS DIODOS LASER, INDIVIDUALIZANDOLOS MEDIANTE EXFOLIACION SEGUN DIRECCIONES PREFERENTES Y MONTANDOLOS SOBRE DISIPADORES DE CALOR PARA SU POSTERIOR CARACTERIZACION. SE HAN ESTUDIADO LAS CARACTERISTICAS FUNDAMENTALES DE FUNCIONAMIENTO COMO SON CORRIENTE UMBRAL, EMISION ESPECTRAL Y DIVERGENCIA. LAS CARACTERISTICAS OBTENIDAS SON DE BAJO UMBRAL (=300 A/CM2) Y EXCELENTE ESTABILIDAD CON LA TEMPERATURA (T0=350 K).