Diodos láser de pozo cuántico confinados por superredes. Diseño, fabricación y caracterización

Laburpena

EN LA TESIS SE HA ESTUDIADO LA FISICA DE LOS LASERES DE SEMICONDUCTOR. SE HA ELABORADO UN PROGRAMA PARA EL CALCULO DE LA GANANCIA, EL FACTOR DE CONFINAMIENTO Y CORRIENTE RADIATIVA, QUE PERMITE EL DISEÑO DE ESTRUCTURAS CON LOS PARAMETROS OPTIMIZADOS. SE HAN FABRICADO LAS ESTRUCTURAS DISEÑADAS, POZOS DE GAAS CONFINADOS POR SUPERREDES ALAS/GAAS, MEDIANTE LA TECNICA DE EPITAXIA POR HACES MOLECULARES Y POSTERIORMENTE SE HAN FABRICADO LOS DIODOS LASER, INDIVIDUALIZANDOLOS MEDIANTE EXFOLIACION SEGUN DIRECCIONES PREFERENTES Y MONTANDOLOS SOBRE DISIPADORES DE CALOR PARA SU POSTERIOR CARACTERIZACION. SE HAN ESTUDIADO LAS CARACTERISTICAS FUNDAMENTALES DE FUNCIONAMIENTO COMO SON CORRIENTE UMBRAL, EMISION ESPECTRAL Y DIVERGENCIA. LAS CARACTERISTICAS OBTENIDAS SON DE BAJO UMBRAL (=300 A/CM2) Y EXCELENTE ESTABILIDAD CON LA TEMPERATURA (T0=350 K).