Desarrollo de patrones biofuncionales sobre Si y Tin mediante haces de iones

  1. Punzón Quijorna, Esther
Dirigida por:
  1. Aurelio Climent Font Director/a
  2. Vicente Torres Costa Director/a
  3. Miguel Manso Silván Director/a

Universidad de defensa: Universidad Autónoma de Madrid

Fecha de defensa: 18 de diciembre de 2015

Tribunal:
  1. Carlos Sánchez López Presidente/a
  2. María Dolores Ynsa Alcalá Secretario/a
  3. Óscar Rodríguez de la Fuente Vocal
  4. Giacomo Ceccone Vocal
  5. Olga Sánchez Garrido Vocal

Tipo: Tesis

Resumen

RESUMEN El gran avance de la Biomedicina en los últimos años ha supuesto un planteamiento intrínsecamente interdisciplinar. En este marco, la ciencia y tecnología de superficies abre nuevas oportunidades para explotar el potencial de los biomateriales. La posibilidad de modificar de manera selectiva la superficie, mediante la formación de patrones con contraste químico o topográfico, permite controlar factores que gobiernan el comportamiento celular en contacto con el biomaterial. En este trabajo se presenta el empleo de patrones biofuncionales sobre Si y TiN como plataforma para el estudio de la respuesta celular. Para la obtención de dichos patrones se ha empleado la implantación de iones a través de máscaras metálicas como herramienta principal, siguiendo dos estrategias diferenciadas. Los patrones de Si/SiP se han obtenido tras un proceso de implantación (MeV), que inhibe la formación de SiP en las zonas irradiadas, seguido de un ataque electroquímico. Para la obtención de los patrones de TiN/TiNO se ha empleado la incorporación, a nivel superficial, de iones de oxígeno (keV). Ambos patrones han sido optimizados, estudiándose su composición, estructura y morfología, poniendo especial atención en los efectos de la implantación. Los patrones obtenidos han permitido controlar la respuesta de células mesenquimales humanas variando las dimensiones del patrón empleado, en el caso de los patrones de Si/SiP, o mediante la aplicación de potenciales externos en los patrones de TiN/TiNO.