Growth and characterization of cdznte crystals doped with bi 10 19 at/cm3
- CARCELÉN VALERO, VERONICA
- Ernesto Diéguez Director/a
Universitat de defensa: Universidad Autónoma de Madrid
Fecha de defensa: 17 de de juny de 2010
- Mercedes Carrascosa Rico President/a
- Enrique Cutierrez-Puebla Secretari/ària
- Pedro Hidalgo Alcalde Vocal
- María Dolores Serrano Hernández Vocal
- Fernando Jesús López Vocal
- Eduard Belas Vocal
- José Manuel Pérez Morales Vocal
Tipus: Tesi
Resum
APARATO Y PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENER MONOCRISTALES SEMICONDUCTORES MEDIANTE EL MÉTODO BRIDGMAN 5 La presente invención describe un aparato para la preparación de un monocristal semiconductor en volumen de Cd1-xZnxTe-CZT según el método Bridgman que comprende: un elemento resistivo calefactor (1); una ampolla de crecimiento (3); un sistema de soporte (12) de la ampolla 10 de crecimiento que comprende a su vez un tubo de platino (11) cuya parte superior está en contacto con la ampolla de crecimiento; un tubo de cuarzo (5) de igual diámetro que la ampolla de crecimiento, en cuyo interior se sitúa el tubo de platino (11); un tubo de cuarzo (6) en el interior de 15 tubo de platino y centrado con respecto al mismo. La invención describe asimismo un procedimiento para obtener un monocristal que comprende el empleo del aparato de la invención.