Growth and characterization of cdznte crystals doped with bi 10 19 at/cm3

  1. CARCELÉN VALERO, VERONICA
Supervised by:
  1. Ernesto Diéguez Director

Defence university: Universidad Autónoma de Madrid

Fecha de defensa: 17 June 2010

Committee:
  1. Mercedes Carrascosa Rico Chair
  2. Enrique Cutierrez-Puebla Secretary
  3. Pedro Hidalgo Alcalde Committee member
  4. María Dolores Serrano Hernández Committee member
  5. Fernando Jesús López Committee member
  6. Eduard Belas Committee member
  7. José Manuel Pérez Morales Committee member

Type: Thesis

Teseo: 297855 DIALNET lock_openBiblos-e Archivo editor

Abstract

APARATO Y PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENER MONOCRISTALES SEMICONDUCTORES MEDIANTE EL MÉTODO BRIDGMAN 5 La presente invención describe un aparato para la preparación de un monocristal semiconductor en volumen de Cd1-xZnxTe-CZT según el método Bridgman que comprende: un elemento resistivo calefactor (1); una ampolla de crecimiento (3); un sistema de soporte (12) de la ampolla 10 de crecimiento que comprende a su vez un tubo de platino (11) cuya parte superior está en contacto con la ampolla de crecimiento; un tubo de cuarzo (5) de igual diámetro que la ampolla de crecimiento, en cuyo interior se sitúa el tubo de platino (11); un tubo de cuarzo (6) en el interior de 15 tubo de platino y centrado con respecto al mismo. La invención describe asimismo un procedimiento para obtener un monocristal que comprende el empleo del aparato de la invención.