Fotoprocesamiento ultravioleta de capas finas amorfas de oxido de silicio

Resumen

Este trabajo esta dedicado al estudio y desarrollo de procesos de baja temperatura inducidos mediante fotones ultravioleta para el deposito y para tratamientos post-deposito de capas finas amorfas de oxidos de silicio sobre semiconductores.Se presenta un estudio exhaustivo de las capas depositadas y tratadas. El alto control del proceso de deposito quimico fotoinducido a partir de fase vapor (foto-uv-cvd) permite el analisis de aspectos concretos como las formas de incorporacion de impurezas a las capas (especialmente hidrogeno), los cambios estructurales que se producen o un detallado analisis del proceso de envejecimiento de las capas. Por otro lado, se presenta el proceso de reconocido uv con unha novedosa lampara excimera de descarga silenciosa que emite fotones a una longitud de onda 193 nm. Este proceso se muestra altamente efectivo a temperatura ambiente y sin producir daños en los dispositivos para inducir fotoliticamente procesos como la pasivacion, reoxidacion y relajacion de tension en las capas de oxido de silicio, con lo que se consigue una adecuacion a baja temperatura para su utilizacion en aplicaciones tecnologicas.