Effect of erbium doping on the defect structure of GaSb crystals

  1. Hidalgo, P.
  2. Méndez, B.
  3. Piqueras, J.
  4. Plaza, J.
  5. Diéguez, E.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Any de publicació: 1998

Volum: 13

Número: 12

Pàgines: 1431-1433

Tipus: Article

DOI: 10.1088/0268-1242/13/12/017 GOOGLE SCHOLAR

Objectius de Desenvolupament Sostenible

Font de les dades: Scopus