Effect of erbium doping on the defect structure of GaSb crystals

  1. Hidalgo, P.
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Revue:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Année de publication: 1998

Volumen: 13

Número: 12

Pages: 1431-1433

Type: Article

DOI: 10.1088/0268-1242/13/12/017 GOOGLE SCHOLAR

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