Influence of oxygen incorporation on the defect structure of GaN microrods and nanowires. An XPS and CL study

  1. Guzmán, G.
  2. Herrera, M.
  3. Silva, R.
  4. Vásquez, G.C.
  5. Maestre, D.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 1361-6641,  0268-1242

Año de publicación: 2016

Volumen: 31

Número: 5

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0268-1242/31/5/055006 GOOGLE SCHOLAR
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