EU activation in β-Ga2O3 MOVPE thin films by ion implantation

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Revista:
ECS Journal of Solid State Science and Technology

ISSN: 2162-8777,  2162-8769

Año de publicación: 2019

Volumen: 8

Número: 7

Páginas: Q3097-Q3102

Tipo: Artículo

DOI: 10.1149/2.0191907JSS GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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