Enhanced red emission from praseodymium-doped GaN nanowires by defect engineering

  1. Lorenz, K.
  2. Nogales, E.
  3. Miranda, S.M.C.
  4. Franco, N.
  5. Méndez, B.
  6. Alves, E.
  7. Tourbot, G.
  8. Daudin, B.
Revista:
Acta Materialia

ISSN: 1359-6454

Año de publicación: 2013

Volumen: 61

Número: 9

Páginas: 3278-3284

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.ACTAMAT.2013.02.016 GOOGLE SCHOLAR
Fuente de los datos: Scopus