Epitaxial n++-InGaAs ultra-shallow junctions for highly scaled n-MOS devices
- Tejedor, P.
- Drescher, M.
- Vázquez, L.
- Wilde, L.
Zeitschrift:
Applied Surface Science
ISSN: 0169-4332
Datum der Publikation: 2019
Ausgabe: 496
Art: Artikel