High pressure sputtering as a viable technique for future high permittivity dielectric on III-V integration: GdOx on InP demonstration

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Zeitschrift:
Journal of Vacuum Science and Technology B:Nanotechnology and Microelectronics

ISSN: 2166-2754,  2166-2746

Datum der Publikation: 2013

Ausgabe: 31

Nummer: 1

Art: Artikel

DOI: 10.1116/1.4771970 GOOGLE SCHOLAR

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