Hafnium oxide thin films deposited by high pressure reactive sputtering in atmosphere formed with different Ar/O2 ratios

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Revista:
Materials Science in Semiconductor Processing

ISSN: 1369-8001

Año de publicación: 2006

Volumen: 9

Número: 6

Páginas: 1020-1024

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.MSSP.2006.10.018 GOOGLE SCHOLAR
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