Annealing effects on the interface and insulator properties of plasma-deposited Al/SiOxNyHz/Si devices

  1. Del Prado, A.
  2. San Andrés, E.
  3. Mártil, I.
  4. González-Díaz, G.
  5. Kliefoth, K.
  6. Füssel, W.
Aldizkaria:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Argitalpen urtea: 2004

Alea: 19

Zenbakia: 2

Orrialdeak: 133-141

Mota: Artikulua

DOI: 10.1088/0268-1242/19/2/001 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus