Rapid thermal annealing effects on the electrical behavior of plasma oxidized silicon/silicon nitride stacks gate insulators

  1. San Andrés, E.
  2. Del Prado, A.
  3. Mártil, I.
  4. González-Díaz, G.
  5. Martínez, F.L.
Revista:
Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

ISSN: 1071-1023

Año de publicación: 2003

Volumen: 21

Número: 4

Páginas: 1306-1313

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1116/1.1585067 GOOGLE SCHOLAR
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