Temperature effects on the electrical properties and structure of interfacial and bulk defects in Al/SiNx:H/Si devices

  1. Martínez, F.L.
  2. San Andrés, E.
  3. Del Prado, A.
  4. Mártil, I.
  5. Bravo, D.
  6. López, F.J.
Aldizkaria:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Argitalpen urtea: 2001

Alea: 90

Zenbakia: 3

Orrialdeak: 1573-1581

Mota: Artikulua

DOI: 10.1063/1.1380992 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus