Multiphononon resonant Raman scattering in He+-implanted InGaN

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Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 1361-6641,  0268-1242

Año de publicación: 2014

Volumen: 29

Número: 4

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0268-1242/29/4/045013 GOOGLE SCHOLAR
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