The effect of substrate on high-temperature annealing of GaN epilayers: Si versus sapphire

  1. Pastor, D.
  2. Cuscó, R.
  3. Artús, L.
  4. González-Díaz, G.
  5. Iborra, E.
  6. Jiménez, J.
  7. Peiró, F.
  8. Calleja, E.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Any de publicació: 2006

Volum: 100

Número: 4

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.2259817 GOOGLE SCHOLAR